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您正在寻找一颗能扛起大电流、低损耗重任的“功率开关”吗？STP80NF55-08AG正是您的理想之选。这颗N沟道MOSFET拥有55V的耐压和高达80A的连续电流处理能力，而其核心魅力在于仅8毫欧的超低导通电阻，能显著减少导通损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

它采用先进的STripFET技术，具备优异的开关特性（低栅极电荷）和高达300W的耗散功率。这意味着它能轻松应对频繁开关和高负载的严苛工况，大幅提升系统可靠性和功率密度。无论是用于提升电动工具的爆发力，还是确保汽车电子系统的稳定运行，STP80NF55-08AG都能让您的设计脱颖而出，以卓越性能赢得市场。

• 型号:STP80NF55-08AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CHANNEL 55V 80A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:55 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:112 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3740 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP80NF55-08AG，ST（意法半导体）产品一站式供应商。