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还在为电源转换效率难以突破而烦恼吗？STD8N65M5正是为您破解这一难题的利器。这颗来自意法半导体MDmesh V家族的N沟道MOSFET，拥有650V的高耐压和7A的连续电流能力，其核心价值在于让您的电源设计更高效、更可靠。它通过极低的600毫欧导通电阻，显著降低导通损耗，同时优化的动态参数助力减少开关损耗，从而整体提升系统能效。

这意味着，在开关电源、照明驱动或电机控制等应用中，它能帮助您轻松达成更高的能效标准，减少散热需求，甚至缩小产品体积。其坚固的DPAK封装和150°C的最高结温，确保了在苛刻环境下的长久稳定运行。选择STD8N65M5，就是选择了一个经过市场验证的高性能解决方案，让您能更专注于产品创新，快速将高效可靠的设计推向市场。

• 型号:STD8N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 7A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:600 毫欧 @ 3.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:690 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD8N65M5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。