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您正在寻找一颗能同时驾驭高效率、高可靠性和简化设计挑战的功率开关吗？STB34N50DM2AG正是为您而来的解决方案。这颗500V/26A的N沟道MOSFET，采用意法半导体创新的MDmesh DM2技术，其核心优势在于将极低的导通电阻（仅120毫欧）与优化的动态特性完美结合。这意味着它能显著降低导通和开关损耗，直接提升您的电源或电机驱动系统的整体能效，让热量管理变得更轻松，系统运行更凉爽稳定。

它专为应对严苛环境而生，拥有汽车级AEC-Q101认证，工作结温高达150°C，确保在汽车、工业等高要求应用中持久可靠。其D2PAK封装兼顾了卓越的功率处理能力与散热性能。选择它，能让您的设计在效率、功率密度和长期可靠性上脱颖而出，轻松应对下一代高能效电子设备的挑战。

• 型号:STB34N50DM2AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 26A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):26A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:120 毫欧 @ 12.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:44 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1850 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB34N50DM2AG，ST（意法半导体）产品一站式供应商。