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还在为电源和电机控制中的开关损耗与散热问题头疼吗？让STP80NF55-06FP来为您分忧！这颗来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，是您实现高效功率控制的得力助手。

它拥有55V的耐压和高达60A的连续电流处理能力，核心优势在于其极低的导通电阻（仅6.5毫欧@40A）。这意味着它能大幅减少导通时的能量损耗，让您的系统运行更凉爽、效率更高，直接帮助您降低散热成本、提升产品可靠性。无论是驱动电机、管理电源转换，还是其他需要快速、高效开关的场合，它都能让您的设计轻松应对高电流挑战。

• 型号:STP80NF55-06FP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 55V 60A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:55 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):60A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6.5 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:189 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4400 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STP80NF55-06FP，ST（意法半导体）产品一站式供应商。