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还在为高压应用中的开关损耗和散热问题头疼吗？让STW9NK90Z来为您解决！这颗意法半导体的900V N沟道MOSFET，集SuperMESH先进技术于一身，旨在让您的电源和电机驱动设计更高效、更可靠。

它能为您做什么？核心在于其卓越的性能参数：高达900V的耐压让您无惧电压尖峰挑战；1.3欧姆的低导通电阻（Rds(on)）大幅降低导通损耗，提升能效；同时，优化的栅极电荷（Qg）有助于实现更快的开关速度和更低的驱动损耗。这一切都封装在散热性能优异的TO-247-3管壳内，确保您能轻松应对高达160W的功率耗散。

选择STW9NK90Z，就是选择了一个经过验证的高性能解决方案。它让您能够轻松构建出效率更高、运行更稳定、寿命更长的工业级产品，是您攻克高压功率转换难题的得力助手。

• 型号:STW9NK90Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 8A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.3 欧姆 @ 3.6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:72 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2115 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW9NK90Z，ST（意法半导体）产品一站式供应商。