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还在为高压应用中的功率转换效率而烦恼吗？STF6N68K3正是您期待的答案。这颗来自意法半导体的680V N沟道MOSFET，专为 demanding 的开关应用而生，它能帮助您轻松构建高效、可靠的电源系统。

它卓越的电气特性让您能够显著降低开关损耗和导通损耗，从而提升整体能效，减少散热需求。无论是用于功率因数校正（PFC）、电机控制还是开关电源（SMPS），STF6N68K3都能确保您的设计运行更稳定、更安静、更节能。选择它，就是为您的产品选择了经久耐用的高性能核心。

• 制造商产品型号：STF6N68K3
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：MOSFET N-CH 680V TO220FP
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• FET类型：-
• 技术：-
• 漏源电压（Vdss）：-
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：-
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：-
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：-
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：-
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：-
• Vgs（最大值）：-
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：-
• 工作温度：-
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-220FP
• STF6N68K3，ST（意法半导体）产品一站式供应商。