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还在寻找那颗能让您的电源或电机驱动方案既强劲又高效的核心开关吗？STP80NF55-06正是您期待的答案。这颗N沟道MOSFET拥有55V的漏源电压和高达80A的连续电流处理能力，其核心魅力在于惊人的低导通电阻仅6.5毫欧，能大幅降低导通损耗，让您的系统运行更凉爽，效率显著提升。

它采用成熟的TO-220AB封装，易于安装和散热。更值得一提的是，其优化的栅极电荷和开关特性，让您能够轻松设计驱动电路，实现快速、干净的开关动作，从而提升整体响应速度与功率密度。无论是用于构建高效的DC-DC转换器、可靠的电机控制器，还是稳健的电源开关，STP80NF55-06都能以卓越的性能和稳定性，成为您项目中值得信赖的功率基石。

• 型号:STP80NF55-06
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 55V 80A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:55 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6.5 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:189 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4400 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP80NF55-06，ST（意法半导体）产品一站式供应商。