我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STL7DN6LF3现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为寻找一颗既能承受汽车级严酷考验，又能提供卓越开关性能的功率芯片而烦恼吗？STL7DN6LF3正是为您而来的解决方案。它集成了两个高性能的N沟道MOSFET，让您能够轻松构建更紧凑、更高效的同步整流或电机驱动电路。

这颗芯片的核心价值在于其极低的导通损耗和出色的开关特性。仅43毫欧的导通电阻与8.8nC的低栅极电荷，意味着它能显著降低系统的发热量，提升整体能效，让您的设备运行得更凉爽、更持久。其逻辑电平门驱动（Vgs(th)最大3V）让您可以直接用微控制器或低电压逻辑电路轻松控制，简化了您的驱动设计。

无论是用于提升汽车LED大灯的驱动效率，还是优化车载电源模块的功率密度，STL7DN6LF3都能以汽车级的品质（AEC-Q101）和高达175°C的结温能力，确保您的应用在各种极端环境下稳定可靠地运行。

• 型号:STL7DN6LF3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 60V 20A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:60V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:43 毫欧 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.8nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:432pF @ 25V
• 功率 - 最大值:52W
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• STL7DN6LF3，ST（意法半导体）产品一站式供应商。