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还在寻找那颗能扛起大功率重任又易于驾驭的“核心开关”吗？STP80NF10就是您期待的答案。这颗N沟道MOSFET拥有100V的耐压和高达80A的连续电流承载能力，其核心魅力在于仅15毫欧的超低导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的电源或电机驱动方案运行得更凉爽、更高效。

它基于先进的STripFET II技术打造，不仅功率密度出众，其优化的动态参数（如栅极电荷）更能让您轻松设计驱动电路，实现快速、干净的开关动作。无论是用于提升工业设备的能效，还是打造紧凑可靠的消费类电源，它都能让您轻松应对高功率挑战，将卓越性能转化为产品的核心竞争力。

• 型号:STP80NF10
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 80A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:15 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:182 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5500 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP80NF10，ST（意法半导体）产品一站式供应商。