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当您的设计需要处理高达80A的强大电流时，如何确保开关器件既高效又可靠？STP80NF03L N沟道MOSFET就是为您破解这一难题的利器。它采用ST先进的STripFET II技术，在10V驱动电压下，导通电阻低至4.5毫欧，能显著降低导通损耗，让您的电源转换或电机驱动系统运行得更凉爽、能效更高。

这颗芯片能为您做什么？它能让您轻松驾驭大电流开关任务。其快速的开关特性（低栅极电荷）和高达300W的功率处理能力，确保在频繁开关的工况下依然稳定如一。无论是提升现有设备的效率，还是为新产品注入强劲动力，STP80NF03L都能以其卓越的性能，成为您设计中值得信赖的功率核心。

• 型号:STP80NF03L
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 80A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.5 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:110 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5500 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP80NF03L，ST（意法半导体）产品一站式供应商。