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L6398DTR 零件图片(仅供参考)

L6398DTR
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L6398DTR 规格参数

还在寻找那颗能同时驾驭效率与可靠性的驱动核心吗?让ST意法半导体的L6398DTR来为您赋能!这是一款高性能的半桥栅极驱动器,专为驱动IGBT和MOSFET而优化。它内置独立双通道,能提供强劲的峰值驱动电流,确保您的功率开关管快速、干净地动作,从而显著降低开关损耗,提升整个电源或电机控制系统的效率。

这颗芯片能为您做什么?它让您轻松构建高效可靠的半桥功率级。其高达600V的自举电压能力和宽范围供电,非常适合电机驱动、电源转换等应用。极短的开关延时和全面的保护特性,让您的系统响应更迅捷,运行更稳定。采用紧凑的SO-8封装,L6398DTR是您在有限空间内实现高性能驱动的理想选择,助您轻松应对设计挑战。

  • 型号:L6398DTR
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:8-SOIC
  • 类目:集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 栅极驱动器
  • 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 驱动配置:半桥
  • 通道类型:独立式
  • 驱动器数:2
  • 栅极类型:IGBT,MOSFET(N 沟道)
  • 电压 - 供电:10V ~ 20V
  • 逻辑电压- VIL,VIH:1.1V,1.9V
  • 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):290mA,430mA
  • 输入类型:反相,非反相
  • 高压侧电压 - 最大值(自举):600 V
  • 上升/下降时间(典型值):75ns,35ns
  • 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装:8-SOIC
  • L6398DTR,ST(意法半导体)产品一站式供应商。
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L6398DTR 基本参数:

  • 电子零件型号:L6398DTR
  • 原始制造厂商:ST(意法半导体,STMicroelectronics)
  • 技术标准参数:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
  • 产品应用分类:集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 栅极驱动器
  • 点击此处查询L6398DTR的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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