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还在为高压开关应用中的效率瓶颈和热管理头疼吗？让STU11NM60ND来为您解决！这颗基于意法半导体先进FDmesh II技术的N沟道MOSFET，是您实现高效、可靠功率转换的得力核心。

它拥有600V的耐压和10A的电流处理能力，能轻松应对PFC、电机驱动等中高压场景。其关键魅力在于极低的导通电阻（仅450mΩ）和优化的开关特性，能显著降低导通与开关损耗，从而提升整体系统效率，并减少散热设计压力。通孔I-PAK封装确保了稳固的安装和出色的散热性能。

选择它，就是选择了一份经过验证的稳定与高效。它将让您的电源设计更简洁，性能更出众，助您轻松打造出更具市场竞争力的产品。

• 型号:STU11NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:IPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 10A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:450 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:850 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:IPAK
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
• STU11NM60ND，ST（意法半导体）产品一站式供应商。