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您正在寻找一颗能同时驾驭高电流与高效率的功率开关吗？STP80N70F6正是为您而来。这颗采用N沟道技术的MOSFET，拥有68V的漏源电压和高达96A的连续漏极电流，其核心魅力在于仅8毫欧的超低导通电阻，能显著减少功率损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

它集成了ST先进的STripFET VI与DeepGATE技术，不仅实现了优异的开关性能（栅极电荷仅99nC），还确保了在-55°C至175°C的极端温度下的稳定工作。无论是用于提升工业设备的能效，还是强化消费电子的可靠性，STP80N70F6都能让您轻松应对设计挑战，以更少的能量损耗，释放更大的功率潜能。

• 型号:STP80N70F6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 68V 96A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:68 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):96A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 毫欧 @ 48A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:99 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5850 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP80N70F6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。