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还在为寻找一颗能在紧凑空间内高效处理大电流的开关器件而烦恼吗？让STS25NH3LL来为您排忧解难！这颗采用先进STripFET III技术的N沟道MOSFET，拥有30V的耐压和高达25A的连续电流处理能力，其核心魅力在于极低的导通电阻（仅3.5毫欧@10V），能显著降低开关损耗，提升整体能效。

它让您轻松应对DC-DC转换器、电机驱动、电池保护等应用中的高频开关挑战。优异的栅极电荷特性确保了快速开关速度，而宽广的工作温度范围（-55°C至175°C）则提供了卓越的环境适应性。选择它，就是为您的产品注入了高效、可靠与紧凑的基因。

• 型号:STS25NH3LL
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 25A 8SO
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):25A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.5 毫欧 @ 12.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±18V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4450 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3.2W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SOIC
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• STS25NH3LL，ST（意法半导体）产品一站式供应商。