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您是否希望为高功率应用找到一颗既能“扛大梁”又“省电”的理想开关？STL140N4F7AG正是为此而生。这颗采用先进STripFET技术的N沟道功率MOSFET，拥有高达120A的电流承载能力和仅2.5毫欧的超低导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的系统运行更凉爽、更高效。

它专为严苛的汽车环境打造，符合AEC-Q101标准，工作温度范围宽达-55°C至175°C，确保极端条件下的可靠运行。其紧凑的PowerFlat封装，让您能在有限空间内轻松实现高功率密度设计。无论是用于DC-DC转换、电机驱动还是负载开关，STL140N4F7AG都能让您以更小的体积和更高的效率，轻松驾驭复杂的功率管理挑战。

• 型号:STL140N4F7AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.5 毫欧 @ 16A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2300 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:111W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装，可润湿侧翼
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL140N4F7AG，ST（意法半导体）产品一站式供应商。