我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STP80N6F6现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

当您的设计需要一颗能够以极小损耗控制大功率的“开关”时，STP80N6F6就是您的理想答案。这颗来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，拥有60V的耐压和高达110A的连续电流处理能力，其核心价值在于仅5.8毫欧的超低导通电阻，能显著减少开关过程中的能量损耗，直接提升您的系统整体效率。

它采用先进的DeepGATE技术，确保在10V驱动电压下即可实现优异的导通特性。高达122nC的栅极电荷和宽广的工作温度范围（-55°C至175°C），让您在设计高可靠性、高功率密度的电源、电机驱动或汽车电子系统时更加从容。选择它，就是为您的产品选择了强劲的心脏和持久的耐力。

• 型号:STP80N6F6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 110A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):110A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.8 毫欧 @ 50A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:122 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:7480 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:120W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP80N6F6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。