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您是否正在为高电流开关应用中的效率损失和散热问题而烦恼？STH175N4F6-2AG正是为您而来的解决方案。这颗车规级N沟道MOSFET，凭借其120A的高电流处理能力和仅2.4毫欧的超低导通电阻，能显著降低功率损耗，让您的系统运行更凉爽、更高效，直接将电能价值最大化。

它采用先进的STripFET F6技术，不仅开关速度快，而且栅极驱动简单。其坚固的H2PAK-2封装和-55°C至175°C的宽工作结温范围，确保它在汽车动力系统、工业电源等苛刻环境中稳定运行，让您轻松应对高可靠性的设计挑战。

• 型号:STH175N4F6-2AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-2
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 120A H2PAK-2
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.4 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:130 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:7735 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-2
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STH175N4F6-2AG，ST（意法半导体）产品一站式供应商。