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还在寻找一颗能同时兼顾高功率与高增益的射频驱动核心吗？PD57030正是为您而来的解决方案。这颗基于成熟LDMOS技术的射频功率FET，能够在关键的945MHz频段，轻松为您输出高达30W的强劲功率，同时提供14dB的卓越增益，显著提升您整个射频链路的总效率与信号质量。

它让您的设计工作变得异常高效。高达65V的额定电压和4A的电流能力，赋予了系统极强的抗电压波动性和驱动能力。采用PowerSO-10封装并配有裸露焊盘，散热性能优异，确保长时间大功率工作的稳定可靠。无论是升级现有设备还是开发新产品，PD57030都能让您轻松应对高要求的射频放大挑战，是构建高性能、高稳定性通信与工业射频系统的理想基石。

• 型号:PD57030
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:10-PowerSO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
• 描述:RF MOSFET LDMOS 28V POWERSO10
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 技术:LDMOS
• 配置:-
• 频率:945MHz
• 增益:14dB
• 电压 - 测试:28 V
• 额定电流（安培）:4A
• 噪声系数:-
• 电流 - 测试:50 mA
• 功率 - 输出:30W
• 电压 - 额定:65 V
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:PowerSO-10 裸露底部焊盘
• 供应商器件封装:10-PowerSO
• PD57030，ST（意法半导体）产品一站式供应商。