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还在为电源转换效率难以提升而烦恼吗？让STP7N60M2为您带来改变！这颗采用先进MDmesh II Plus技术的N沟道MOSFET，拥有600V的坚固耐压和仅950毫欧的低导通电阻，能显著降低开关损耗和发热，让您的电源、电机驱动或照明系统运行得更凉爽、更高效。

它高达5A的电流处理能力和优化的动态参数，让您轻松应对高频开关挑战，提升系统功率密度。经典的TO-220封装确保了出色的散热和可靠的安装。选择STP7N60M2，就是选择了一个让设计更简单、性能更卓越、产品更具竞争力的高效解决方案。

• 型号:STP7N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 5A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:950 毫欧 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:271 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP7N60M2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。