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还在寻找一颗能同时满足高效、可靠与易用需求的600V功率开关吗？STF13NM60ND正是您的理想之选。它基于意法半导体先进的FDmesh II技术，为您带来低至380毫欧的导通电阻，显著降低导通损耗，让您的电源或电机驱动应用运行更凉爽、效率更高。

这颗芯片能轻松处理高达11A的连续电流，并拥有600V的坚固耐压，为您应对各种电压尖峰提供充足的安全边际。其优化的动态参数（如低栅极电荷）让开关过程更加迅速平滑，不仅提升了整体能效，还简化了您的驱动电路设计。选择它，就是为您的产品注入一颗强劲、可靠且高效的动力核心。

• 型号:STF13NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 11A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:最后售卖
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:380 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:24.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:845 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF13NM60ND，ST（意法半导体）产品一站式供应商。