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您正在寻找一颗能强力、可靠地驱动半桥功率级的核心芯片吗？L6385E正是您的高效助手！它专为驱动IGBT和N沟道MOSFET而优化，拥有高达600V的电压处理能力和强劲的650mA/400mA峰值输出电流，让您的功率开关动作既迅速又干净利落，大幅提升系统效率。

这颗芯片采用反相输入逻辑和独立通道设计，让您的控制电路设计变得异常简单。其宽泛的工作温度范围（-40°C至150°C）和通孔封装，确保了它在工业电机控制、电源转换等苛刻环境下的长期稳定运行，是您构建坚固耐用电力电子系统的可靠基石。

• 型号:L6385E
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-DIP
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:半桥
• 通道类型:独立式
• 驱动器数:2
• 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:17V（最大）
• 逻辑电压- VIL，VIH:1.5V，3.6V
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:400mA，650mA
• 输入类型:反相
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V
• 上升/下降时间（典型值）:50ns，30ns
• 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:8-DIP（0.300，7.62mm）
• 供应商器件封装:8-DIP
• L6385E，ST（意法半导体）产品一站式供应商。