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还在寻找一颗能同时驾驭高电流与高效率的功率开关吗？STP75NS04Z正是您期待的答案。这颗33V/80A的N沟道MOSFET，凭借其极低的11毫欧导通电阻，能显著降低开关过程中的功率损耗，让您的电源转换或电机驱动系统运行得更凉爽、能效更高，直接帮助您优化整体系统性能并简化散热设计。

它采用成熟的TO-220AB封装，安装简便，散热能力出众。更令人放心的是其宽广的工作温度范围（-55°C至175°C）和强大的鲁棒性，确保您的产品即使在苛刻环境下也能稳定持久地工作。选择STP75NS04Z，就是选择了一份让设计更轻松、让产品更可靠的强大保障。

• 型号:STP75NS04Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 33V 80A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:33 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:50 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:箝位
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1860 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP75NS04Z，ST（意法半导体）产品一站式供应商。