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您是否正在寻找一颗能同时兼顾高效率、高可靠性和紧凑尺寸的功率开关解决方案？STN3P6F6正是您的理想之选。这颗P沟道MOSFET采用意法半导体先进的STripFET VI技术，为您带来低至160毫欧的导通电阻，能显著降低开关过程中的功率损耗，让您的电源转换或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

它能在高达60V的电压和3A的电流下稳定工作，并具备优异的开关特性（Qg仅6.4nC），让您轻松实现快速、干净的开关控制，提升系统整体响应速度。其坚固的SOT-223封装和宽广的工作温度范围（-55°C至175°C），确保了它在各种严苛环境下的长期可靠性。选择STN3P6F6，就是为您的产品选择了一颗强劲而可靠的“心脏”。

• 型号:STN3P6F6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:SOT-223
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 60V SOT223
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Tj）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:160 毫欧 @ 1.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:340 pF @ 48 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.6W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
• STN3P6F6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。