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还在为嵌入式项目寻找一个即插即用、稳定高效的存储核心吗？让NAND128W3A0AN6F来担当重任！这颗由ST意法半导体出品的128Mb并行NAND闪存，能以16M x 8的配置，为您提供可靠的非易失数据存储方案。

它能让您的系统在2.7V~3.6V的宽电压下高效运行，并轻松应对-40°C至85°C的严苛温度挑战。50ns的快速页写入和访问时间，显著提升了数据吞吐效率。无论是工业控制、汽车电子还是网络通信设备，选择它，就是选择了一个经过市场验证、能助您轻松实现产品稳定性的存储伙伴。

• 型号:NAND128W3A0AN6F
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:48-TSOP
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 128MBIT PARALLEL 48TSOP
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:128Mb
• 存储器组织:16M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:50ns
• 访问时间:50 ns
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
• 供应商器件封装:48-TSOP
• NAND128W3A0AN6F，ST（意法半导体）产品一站式供应商。