我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STP60NE06L-16现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在寻找一颗能轻松驾驭大电流、同时保持冷静高效的功率开关吗？STP60NE06L-16正是您的答案。这颗来自ST意法半导体的60V/60A N沟道MOSFET，采用成熟的STripFET技术，旨在为您提供卓越的功率处理能力。

它的核心价值在于让您的设计更高效、更可靠。极低的导通电阻（Rds(on)）意味着在导通时损耗更小，发热量更低；而优化的栅极特性则有助于实现快速、干净的开关，进一步提升系统整体效率。无论是用于电机驱动、电源转换还是功率调节，它都能帮助您构建出性能强劲、运行稳定的解决方案。

凭借TO-220AB封装带来的出色散热能力和高达175°C的工作结温，它让您能够从容应对各种严苛的应用环境，确保产品的长期稳定运行。

• 型号:STP60NE06L-16
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):60A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:14 毫欧 @ 30A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:70 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±15V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4150 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP60NE06L-16，ST（意法半导体）产品一站式供应商。