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还在为如何高效、可靠地驱动您的功率MOSFET而寻找最佳方案吗？L6747CTR正是您期待的答案。这颗来自ST意法半导体的半桥栅极驱动器，拥有高达3.5A的峰值灌电流驱动能力，能够以强劲的推力，让您的N沟道MOSFET实现快速、干净的开关动作，从而有效降低开关损耗，显著提升系统的电源转换效率。

它为您提供了极大的设计灵活性。5V至12V的宽供电电压范围，让您可以轻松匹配不同的逻辑电平；非反相的逻辑输入，使得控制接口直观明了，简化了您的电路设计。其紧凑的8-VFDFN表面贴装封装，不仅帮您节省宝贵的电路板空间，更能确保芯片在0°C至125°C的宽广结温范围内稳定工作，满足各种严苛应用环境的需求。选择L6747CTR，就是选择了一个让您的电源或电机驱动系统更高效、更可靠、更紧凑的智能驱动核心。

• 型号:L6747CTR
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-VFDFPN（3x3）
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8VFDFPN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:半桥
• 通道类型:同步
• 驱动器数:2
• 栅极类型:MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:5V ~ 12V
• 逻辑电压- VIL，VIH:0.8V，2V
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:3.5A，-
• 输入类型:非反相
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:41 V
• 上升/下降时间（典型值）:-
• 工作温度:0°C ~ 125°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-VDFN 焊盘
• 供应商器件封装:8-VFDFPN（3x3）
• L6747CTR，ST（意法半导体）产品一站式供应商。