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在追求极致能效的今天，您是否渴望一颗能大幅提升电源转换效率的“利器”？STF15NM60N正是为此而来！这颗采用意法半导体MDmesh II技术的N沟道MOSFET，拥有600V高压和14A电流的处理能力，核心使命就是让您的电源、电机驱动或照明系统运行得更高效、更凉爽。

它通过优化的技术，显著降低了导通和开关过程中的能量损耗。这意味着，您不仅能轻松提升系统整体效率，满足严苛的能效标准，还能减少散热设计压力，让产品结构更紧凑、可靠性更高。其坚固的TO-220FP封装和宽温度范围特性，确保它在各种复杂应用环境中都能稳定工作，是您打造高性能、高可靠性功率产品的理想选择。

• 型号:STF15NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 14A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:299 毫欧 @ 7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:37 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1250 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF15NM60N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。