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还在为寻找一颗性能强劲、稳定可靠的功率开关管而烦恼吗？让STP5NK65Z来为您排忧解难！这颗采用先进SuperMESH技术的N沟道MOSFET，拥有高达650V的击穿电压和5A的连续电流处理能力，是您构建高效开关电源、电机驱动和照明系统的理想核心。

它凭借低至1.8欧姆的导通电阻和极低的栅极电荷，能显著降低开关过程中的能量损耗，让您的系统运行更凉爽、更高效。其坚固的TO-220封装和宽广的工作温度范围，确保它在各种挑战性环境中都能稳定工作，大幅提升您最终产品的可靠性和耐用性。

• 型号:STP5NK65Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 5A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.8 欧姆 @ 2.1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:35 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:680 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:85W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP5NK65Z，ST（意法半导体）产品一站式供应商。