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您正在寻找一颗能扛起高压、大电流重任，同时保持极低损耗的功率开关吗？STI15NM60N正是为此而生！这颗N沟道MOSFET拥有600V的坚固耐压和14A的强大电流处理能力，其核心秘密在于先进的MDmesh II技术，它能将导通电阻有效降低，从而大幅减少导通损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

它不仅仅参数亮眼，更致力于简化您的设计并提升可靠性。优化的栅极电荷和电容特性让驱动设计更轻松，开关速度更快，损耗更低。坚固的I2PAK通孔封装确保了出色的散热性能，配合宽广的工作温度范围，让您的产品能够从容应对各种苛刻环境挑战，稳定运行，无后顾之忧。

• 型号:STI15NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 14A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:299 毫欧 @ 7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:37 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1250 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• STI15NM60N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。