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还在为寻找一颗能兼顾高压、大电流与低损耗的功率开关而烦恼吗？STF12NK60Z正是为您而来的解决方案。这颗来自ST意法半导体SuperMESH系列的N沟道MOSFET，拥有600V的坚固耐压和10A的强大电流处理能力，让您在设计高压电源、电机驱动或照明系统时信心倍增。

它的核心魅力在于极致的效率。凭借先进的SuperMESH技术，STF12NK60Z实现了超低的导通电阻，能显著减少开关过程中的功率损耗，直接提升您的整机效率。同时，优化的动态参数确保了快速、干净的开关特性，让您的系统运行更稳定、更安静。选择它，就是为您的产品选择了一颗高效、可靠的“动力心脏”。

• 型号:STF12NK60Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:640 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:59 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1740 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:35W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF12NK60Z，ST（意法半导体）产品一站式供应商。