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还在为功率转换效率不高而烦恼吗？让STP5NK50Z来改变这一切！这颗来自意法半导体的N沟道MOSFET，集500V高耐压、4.4A强电流与SuperMESH低损耗技术于一身，专为提升您的电源和电机控制应用效率而生。

它能让您轻松实现高效的能量切换。其极低的导通电阻（仅1.5欧姆）和栅极电荷（28nC），显著减少了开关和传导损耗，意味着更低的发热和更高的系统能效。无论是构建紧凑的开关电源，还是驱动电机，它都能让您的设计运行更凉爽、更可靠。

采用坚固的TO-220AB封装，并提供宽达-55°C至150°C的工作温度范围，STP5NK50Z确保了在各种环境下的卓越耐久性。选择它，就是为您的产品选择了经久耐用的高性能核心。

• 型号:STP5NK50Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 4.4A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.5 欧姆 @ 2.2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:28 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:535 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP5NK50Z，ST（意法半导体）产品一站式供应商。