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还在为高压开关应用中的效率瓶颈和散热挑战寻找突破口吗？STL18N65M5正是为您而来的解决方案。这颗来自意法半导体MDmesh V家族的N沟道MOSFET，集650V高压耐受与15A大电流通流能力于一身，其革命性的超结技术将导通电阻（Rds(on)）显著降低，能大幅削减导通损耗，直接提升您的系统整体能效。

它不仅仅是一颗开关管，更是您提升产品竞争力的利器。优化的动态参数（如低栅极电荷Qg）确保了快速、高效的开关性能，让您轻松实现更高频率的设计，同时降低电磁干扰。采用先进的PowerFlat封装，在提供卓越散热能力的同时，极大节省电路板空间，让您的设计更紧凑、更高效。选择STL18N65M5，就是选择让您的电源转换、电机驱动或照明系统运行得更冷静、更可靠、更强劲。

• 型号:STL18N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 15A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:240 毫欧 @ 7.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:31 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1240 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:57W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL18N65M5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。