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您正在寻找一颗能扛起高压重任、同时保持高效运行的功率开关吗？STP5N95K3正是为您而来。这颗N沟道MOSFET拥有高达950V的击穿电压和4A的连续电流处理能力，专为要求严苛的开关电源、电机控制及照明应用而设计。

它采用先进的SuperMESH3技术，在10V栅极驱动下可实现低至3.5欧姆的导通电阻，显著降低功率损耗，让您的系统运行更凉爽、更高效。其优化的栅极电荷（仅19nC）有助于提升开关速度，减少开关损耗。TO-220封装提供出色的功率耗散能力（最大90W），宽工作温度范围确保它在各种环境下稳定可靠，助您轻松构建高性能、高可靠性的电源与驱动解决方案。

• 型号:STP5N95K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 950V 4A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:950 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.5 欧姆 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:19 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:460 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP5N95K3，ST（意法半导体）产品一站式供应商。