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您正在寻找一颗能扛起高压、大电流重任，同时保持高效冷静的功率开关吗？STI30NM60N正是您的理想选择。这颗采用MDmesh II技术的N沟道MOSFET，拥有600V的坚固耐压和25A的强大电流处理能力，专为 demanding 的工业环境而设计。

它能为您做什么？核心在于其卓越的能效表现。低至130毫欧的导通电阻，意味着在导通时能量损耗极小，让您的电源或电机驱动系统运行得更“凉爽”、更高效。同时，优化的开关特性让您能轻松设计驱动电路，实现快速、平滑的开关动作，从而提升整体系统的功率密度和可靠性。选择它，就是为您的产品选择了经久耐用的高性能核心。

• 型号:STI30NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-262（I2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 25A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):25A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:130 毫欧 @ 12.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:91 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2700 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-262（I2PAK）
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• STI30NM60N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。