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您正在寻找一颗能轻松驾驭高功率、同时将能量损耗降至最低的“能量守门员”吗？STB85NF3LLT4正是为此而生。这颗来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，拥有30V的耐压和高达85A的连续电流承载能力，其核心优势在于极低的导通电阻，能显著减少开关过程中的功率损耗，让您的电源转换或电机驱动系统运行得更高效、更凉爽。

基于先进的STripFET II技术，它具备快速的开关特性和优异的散热性能。这意味着您可以设计出更紧凑、响应更快的电路，同时确保系统在-65°C至175°C的宽广温度范围内稳定工作。无论是提升能效、增加功率密度，还是增强可靠性，选择它，就是为您的产品选择了一个强劲而可靠的心脏。

• 型号:STB85NF3LLT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 85A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):85A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2210 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB85NF3LLT4，ST（意法半导体）产品一站式供应商。