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还在为高压应用的开关损耗和散热问题烦恼吗？让STP5N80K5来为您解决！这颗来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，是您构建高效、可靠电源系统的核心之选。它拥有800V的耐压和4A的电流处理能力，采用先进的MDmesh技术，能显著降低导通电阻，从而减少能量损耗，让您的设备运行更高效、发热更少。

它能让您轻松驾驭开关电源、电机控制等高要求场景。极低的栅极电荷确保了快速的开关响应，而经典的TO-220封装则提供了出色的散热性能。选择它，就是选择用一颗高度集成的芯片，简化您的设计，提升产品的整体能效和可靠性，助您在市场中脱颖而出。

• 型号:STP5N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 4A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.75 欧姆 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:177 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP5N80K5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。