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还在为高压电源设计中的效率瓶颈烦恼吗？让STFI14N80K5为您带来改变。这颗采用先进MDmesh K5技术的N沟道MOSFET，拥有800V的强悍耐压和12A的持续电流能力，能轻松胜任开关电源、电机驱动等高压场合的核心开关任务。

它的核心价值在于，通过优化的超结结构，显著降低了导通电阻和栅极电荷，这意味着它能以更低的损耗进行高速开关。这不仅直接提升了您的系统整体能效，更能有效降低发热，让散热设计变得更简单，系统运行更稳定可靠。选择它，就是为您的产品选择了一份高效与耐用的双重保障。

• 型号:STFI14N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-281（I2PAKFP）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 12A I2PAKFP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:445 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:620 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-281（I2PAKFP）
• 封装/外壳:TO-262-3 全封装，I2PAK
• STFI14N80K5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。