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还在寻找那颗能同时兼顾高效率与高可靠性的“心脏”吗？STP27N60M2-EP正是您的理想之选。这颗来自意法半导体MDmesh M2-EP系列的N沟道MOSFET，拥有600V耐压和20A电流处理能力，专为要求严苛的开关电源和电机驱动应用而生。

它的核心价值在于其卓越的性能平衡。通过优化的技术，它让您在获得低至163毫欧导通电阻的同时，也享有极低的栅极电荷。这意味着什么？这意味着更低的传导损耗和开关损耗，让您的系统运行更高效、发热更少，从而轻松提升整体能效和可靠性。其坚固的TO-220封装和宽广的工作温度范围，更能让您的设计从容应对各种挑战。

• 型号:STP27N60M2-EP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 20A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:163 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1320 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:170W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP27N60M2-EP，ST（意法半导体）产品一站式供应商。