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还在寻找一颗能兼顾高性能与高可靠性的高压开关管吗？STL12N65M5正是为您而来的解决方案。它基于ST先进的MDmesh V技术，拥有650V的坚固耐压和8.5A的强大电流处理能力，其优化的动态特性（如低栅极电荷和输入电容）能让您的电源系统开关更迅捷，损耗更低，轻松实现更高的能效目标。

这颗芯片能为您做什么？它能让您的AC-DC电源、电机驱动或PFC电路运行得更冷静、更高效。其极低的导通电阻（Rds(on)）意味着更少的能量以热量的形式浪费，而紧凑的PowerFlat封装则让您在设计时能节省宝贵的空间，同时保持良好的散热性能。选择它，就是为您的产品选择了一份经过市场千锤百炼的稳定与高效。

• 型号:STL12N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 8.5A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:530 毫欧 @ 4.25A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:644 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:48W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL12N65M5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。