我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STP4NB50现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您正在寻找一颗能轻松驾驭高压开关任务，同时保持高效与低温运行的功率MOSFET吗？STP4NB50正是为您而来。这颗N沟道MOSFET拥有高达500V的击穿电压和3.8A的电流处理能力，核心采用意法半导体先进的PowerMESH技术，能显著降低导通电阻，从而减少功率损耗，让您的电源或电机驱动设计效率更高，发热更少。

它具备快速的开关特性（低栅极电荷）和良好的热性能（TO-220AB封装，结温高达150°C），让您在设计高压侧开关、照明镇流器或工业控制电路时，能够实现更紧凑的布局和更可靠的运行。选择它，就是为您的产品注入一颗强劲而稳健的‘心脏’。

• 型号:STP4NB50
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 3.8A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.8 欧姆 @ 1.9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:21 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:400 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:80W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP4NB50，ST（意法半导体）产品一站式供应商。