我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STL8P4LLF6现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为复杂的电源管理和空间限制头疼吗？让STL8P4LLF6来为您分忧！这颗基于先进STripFET F6技术的P沟道MOSFET，是您实现高效、紧凑设计的得力助手。它能轻松处理高达40V电压和8A电流的开关任务，同时凭借低至20.5毫欧的导通电阻，大幅减少功率损耗和发热，让您的设备运行更凉爽、更持久。

它采用超薄的PowerFlat封装，完美解决空间难题，让您能在更小的电路板上实现更强大的功能。无论是用于电池保护、负载开关还是电机控制，STL8P4LLF6都能以卓越的能效和可靠性，助您轻松打造出更具市场竞争力的下一代产品。

• 型号:STL8P4LLF6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（3.3x3.3）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 40V POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Tj）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:20.5 毫欧 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2850 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.9W（Ta）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（3.3x3.3）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL8P4LLF6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。