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您正在寻找一颗能扛起高压、高效开关重任的核心功率器件吗？STP4N62K3正是为此而生！这颗采用先进SuperMESH3技术的N沟道MOSFET，拥有620V的高漏源电压和3.8A的连续电流能力，能轻松应对开关电源、功率转换等应用中的高压切换挑战。

它的核心价值在于让您的设计更高效、更可靠。极低的导通电阻（1.95Ω @10V）意味着更小的导通损耗和发热，而优化的动态参数（如低栅极电荷）确保了快速开关，显著提升整体能效。TO-220封装提供了出色的散热路径，让您即使在严苛环境下也能保持稳定运行，简化您的热管理设计。

• 型号:STP4N62K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 620V 3.8A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:620 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.95 欧姆 @ 1.9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:450 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP4N62K3，ST（意法半导体）产品一站式供应商。