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您正在设计需要强劲动力与高效控制的电源或驱动方案吗？STP46NF30 N沟道MOSFET就是您理想的解决方案。它拥有300V的耐压和高达42A的连续电流处理能力，让您轻松驾驭高压大电流应用场景，同时其极低的导通电阻能大幅减少能量损耗，提升整体系统效率。

这颗芯片能为您做什么？它能让您的开关电源转换更迅捷、电机驱动更强劲、功率控制更精准。得益于STripFET II先进技术，它在保证高可靠性的同时，提供了优异的开关性能，帮助您简化热管理设计，并最终打造出更紧凑、更节能、更具竞争力的产品。

• 型号:STP46NF30
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N CH 300V 42A TO-220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:300 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):42A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:75 毫欧 @ 17A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:90 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3200 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP46NF30，ST（意法半导体）产品一站式供应商。