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想象一下，您的电源或电机驱动系统需要一颗既能承受高压冲击，又能流畅通过大电流，同时自身损耗微乎其微的“核心开关”。STP21N90K5正是为此而生。它基于意法半导体先进的SuperMESH5技术，为您提供900V的坚固耐压和18.5A的强劲电流处理能力，让您的设计在面对复杂电网环境和重载挑战时，拥有前所未有的安全边际和稳定性。

这颗芯片能为您做什么？它极低的导通电阻（仅299毫欧）意味着更少的导通损耗，直接转化为更高的系统效率和更低的发热。同时，其优化的栅极特性让开关动作干净利落，帮助您轻松实现更高的工作频率，从而缩小变压器和滤波器体积，让您的产品设计更紧凑、更具竞争力。选择STP21N90K5，就是选择了一个高效、可靠且易于驱动的功率解决方案，助您轻松攻克能效难题。

• 型号:STP21N90K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 18.5A TO220-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:299 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:43 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1645 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP21N90K5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。