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您正在寻找一颗能扛起高压、大电流重任，同时保持冷静与高效的功率开关吗？STW20NM65N正是为您准备的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有650V的坚固耐压和19A的强大电流处理能力，核心采用ST意法半导体先进的MDmesh II技术，能显著降低导通电阻和开关损耗，让您的电源或电机驱动系统效率更高、发热更少。

它能让您轻松应对服务器电源、工业变频器、UPS等应用中的功率转换挑战。优异的开关特性有助于提升系统工作频率，从而缩小整体设计体积。其TO-247-3封装确保了卓越的散热性能，结合宽广的工作温度范围，保障了设备在苛刻环境下的长期稳定运行。选择STW20NM65N，就是为您的产品选择了一份经过市场验证的可靠与高效。

• 型号:STW20NM65N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 19A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):19A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:190 毫欧 @ 9.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:70 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2500 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW20NM65N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。