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还在为高压应用的效率瓶颈寻找突破口吗？STP43N60DM2 N沟道MOSFET正是您期待的答案。它基于意法半导体先进的MDmesh DM2技术，集600V高压耐受与34A大电流驱动能力于一身，其核心价值在于让您的电源转换和电机驱动系统运行得更高效、更凉爽。

这颗芯片能为您做什么？它凭借低至93毫欧的导通电阻和优化的动态参数，大幅降低导通与开关损耗，直接提升系统整体能效。同时，其坚固的TO-220封装和宽广的工作温度范围，确保您能在各种挑战性环境中实现稳定可靠的设计。选择它，就是为您的产品选择了经久耐用的高性能心脏。

• 型号:STP43N60DM2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 34A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):34A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:93 毫欧 @ 17A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:56 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2500 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP43N60DM2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。