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还在为高压大电流开关应用中的效率瓶颈和散热难题烦恼吗？STB24N65M2正是为您破解这些挑战而设计的利器。这颗采用先进MDmesh M2技术的N沟道MOSFET，拥有650V的高耐压和16A的连续电流能力，其核心魅力在于仅230毫欧的超低导通电阻，能大幅降低导通损耗，让您的电源或电机驱动方案运行得更凉爽、更高效。

它不仅仅参数强悍，更注重实际应用体验。优化的栅极电荷和电容特性，让开关过程快速而干净，显著减少开关损耗和电磁干扰，使您的系统设计更简单，性能更稳定。无论是用于服务器电源、工业电源还是照明驱动，STB24N65M2都能让您轻松应对高压侧开关的严苛要求，提升整体系统的可靠性和能效表现。

• 型号:STB24N65M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 16A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:230 毫欧 @ 8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1060 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB24N65M2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。