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您正在寻找一颗能轻松驾驭800V高压，同时保持高效、可靠运行的功率开关吗？STP3NK80Z正是您的理想之选。这颗来自意法半导体SuperMESH家族的N沟道MOSFET，拥有2.5A的连续漏极电流和低至4.5欧姆的导通电阻，旨在显著降低开关损耗和导通损耗，让您的电源或电机驱动应用能效更高、发热更少。

它内置的先进技术让开关过程快速且干净，配合±30V的宽栅极电压范围和优化的栅极电荷，使驱动电路设计更为简便。无论是用于开关电源、LED照明还是各种工业控制，STP3NK80Z都能提供坚固耐用的性能，其TO-220AB封装确保了出色的功率耗散能力，让您的产品在-55°C至150°C的严苛环境下也能稳定工作，全面提升系统可靠性。

• 型号:STP3NK80Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 2.5A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.5 欧姆 @ 1.25A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:19 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:485 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP3NK80Z，ST（意法半导体）产品一站式供应商。