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您是否正在寻找一颗能够显著提升电路效率、同时保持设计简洁的MOSFET？STS4DNFS30正是您的理想之选。它基于ST先进的STripFET技术，拥有仅55毫欧的低导通电阻和超低的栅极电荷，让您的开关电源或电机驱动应用实现更低的能量损耗和更快的切换速度，从而整体提升系统能效。

这颗芯片能为您做什么？它让您轻松驾驭高达4.5A的连续电流和30V的电压，并凭借其内部集成的肖特基二极管，简化电路布局，节省宝贵空间。无论是用于提升便携设备的电池续航，还是确保工业控制模块的稳定可靠，STS4DNFS30都能以高效、冷静的表现，助您打造更具市场竞争力的产品。

• 型号:STS4DNFS30
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 4.5A 8SO
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:55 毫欧 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:4.7 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:330 pF @ 25 V
• FET 功能:肖特基二极管（隔离式）
• 功率耗散（最大值）:2W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SOIC
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• STS4DNFS30，ST（意法半导体）产品一站式供应商。