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您正在寻找一颗能扛起高压、大电流重任，同时保持冷静与高效的功率开关吗？STD5NK50ZT4正是为您而来的解决方案。这颗采用先进SuperMESH技术的N沟道MOSFET，拥有500V的坚固耐压和4.4A的强大电流通过能力，让您在设计初级侧开关、PFC电路或电机驱动时信心十足。

它的核心魅力在于极致的效率。1.5欧姆的低导通电阻能显著降低开关过程中的功率损耗，直接提升您的整机能效。同时，优化的动态参数让开关更迅速、更干净，帮助您轻松应对高频设计挑战，并有效减少电磁干扰（EMI）。

无论是追求紧凑空间的适配器，还是要求长期可靠运行的工业电源，STD5NK50ZT4的DPAK封装和宽工作温度范围（-55°C至150°C）都能完美适应，为您提供稳定、持久的高性能输出，是打造高品质电源产品的明智之选。

• 型号:STD5NK50ZT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 4.4A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.5 欧姆 @ 2.2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:28 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:535 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD5NK50ZT4，ST（意法半导体）产品一站式供应商。